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在功率器件領(lǐng)域中，功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)被廣泛應(yīng)用在開關(guān)器件結(jié)構(gòu)中。

功率器件有兩大特性：

1、當器件處于導(dǎo)通狀態(tài)，擁有低導(dǎo)通電阻，最小化自身的功率損耗；

2、當器件處于關(guān)斷狀態(tài)，能擁有足夠高的反向擊穿電壓。而Super Junction MOS是屬于一種在 VDMOS 基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計的MOS，即我們所說的超結(jié) MOS，主要為了解決Rds(on)與BV的矛盾關(guān)系，在保持相同BV的情況下可以擁有更低的Rds(on)，這使得它能大大降低自身的開關(guān)損耗。

目前市面上的Super Junction MOS Qg不夠小，開關(guān)速度慢。因此本領(lǐng)域需一種新的Super Junction MOS器件及其制備方法，以有效地提升Qg和開關(guān)速度。

為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中Super Junction MOS Qg不夠小，開關(guān)速度慢的不足，芯達茂設(shè)計了一種Super Junction MOS器件制備方法。芯達茂在Super_Junction MOS中加入Split-gate的結(jié)構(gòu)從而極大降低Qg,加快開關(guān)速度。

△圖1

以600V耐壓器件為例。首先通過光掩膜在N+上蝕刻形成第一溝槽如圖2和第二溝槽如圖3，用于形成Super Junction結(jié)構(gòu)和Gate極。

△圖2

△圖3

在全面淀積P+型雜質(zhì)，然后通過CMP研磨至硅表面。然后進行表面場氧化、光刻蝕刻后。利用柵極光掩膜蝕刻形成第三溝槽如圖4。

△圖4

再進行柵氧化層的生長，淀積多晶硅，利用柵極光刻蝕刻形成柵極。此后全面注入B形成P+溝道區(qū)。光刻注入As形成N+源極區(qū)。在表面生長1.5um厚的ILD，在進行光刻蝕刻、B11/BF2離子注入和退火形成接觸區(qū)（Contact），進行淀積金屬光刻蝕刻形成金屬源極和淀積鈍化層光刻蝕刻形成鈍化。完成正面工藝后，將背面研磨至所需厚度,在對其進行拋光、清洗、蒸發(fā)、合金形成背面金屬，做漏極。此后結(jié)束本流程，如此便形成如圖1所示的器件結(jié)構(gòu)。