晶圓
單管
模塊
IGBT模塊使用上的注意事項(xiàng)
在使用IGBT模塊的場(chǎng)合，選擇何種電壓，電流規(guī)格的IGBT模塊，需要做周密的考慮。
a. 電流規(guī)格
IGBT模塊的集電極電流增大時(shí)，VCE上升，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，元件發(fā)熱加劇。因此，根據(jù)額定損耗，開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量，控制器件結(jié)溫（Tj）在 150℃以下（通常為安全起見，以125℃以下為宜），請(qǐng)使用這時(shí)的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱也加劇，需十分注意。
一般來說，要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用，從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。
b.電壓規(guī)格
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關(guān)。例如單相220Vac 輸入，會(huì)選擇IGBT 600~650V 耐壓、三相380Vac 輸入，會(huì)選擇IGBT 1200V 耐壓的元件。
IGBT的VGE耐壓值為±20V(電壓尖峰不可超過±30V)，如在IGBT模塊加上超出耐壓值的電壓，將會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn)，因而在柵極-發(fā)射極之間，需確保不超出耐壓值的電壓。
在使用裝置的場(chǎng)合，如果柵極回路不合適或者柵極回路處于高阻抗?fàn)顟B(tài)（柵極處于開路狀態(tài)），在主回路上加上驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，則IGBT有很大概率會(huì)損壞，為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極-發(fā)射極之間并聯(lián)一只10kΩ左右的電阻為宜。
此外，由于IGBT柵極為MOS結(jié)構(gòu)，對(duì)于靜電防護(hù)就要十分注意。因此，請(qǐng)注意下面幾點(diǎn)：
1.在使用模塊時(shí)，手持分裝件時(shí)，請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部份。
2.在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動(dòng)端子的模塊時(shí)，在配線未佈好之前，請(qǐng)先不要接上模塊。
3.盡量在底板良好接地的情況下操作。
4.當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸。
5.在焊接作業(yè)時(shí)，焊機(jī)與焊槽之間的漏泄容易引起靜電的產(chǎn)生，為了防止靜電的產(chǎn)生，請(qǐng)先將焊機(jī)處于良好的接地狀態(tài)下。
6.裝部件的容器，請(qǐng)選用不帶靜電的容器。
用于大容量逆變器等控制大電流場(chǎng)合使用IGBT模塊時(shí)，可以使用多個(gè)器件并聯(lián)。
并聯(lián)時(shí)，要使每個(gè)器件流過均等的電流是非常重要的，一旦電流平衡遭到破壞，那么電流過于集中的那個(gè)器件將可能被損壞。
為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡，要適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如，挑選器件的VCE(sat)/VF/Vth等特性相同的器件及選擇正溫度系數(shù)的FRD，為并聯(lián)應(yīng)用中的重要環(huán)節(jié)。
[email protected]
0592-5738967
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IGBT模塊使用上的注意事項(xiàng)
在使用IGBT模塊的場(chǎng)合，選擇何種電壓，電流規(guī)格的IGBT模塊，需要做周密的考慮。
a. 電流規(guī)格
IGBT模塊的集電極電流增大時(shí)，VCE上升，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，元件發(fā)熱加劇。因此，根據(jù)額定損耗，開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量，控制器件結(jié)溫（Tj）在 150℃以下（通常為安全起見，以125℃以下為宜），請(qǐng)使用這時(shí)的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱也加劇，需十分注意。
一般來說，要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用，從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。
b.電壓規(guī)格
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關(guān)。例如單相220Vac 輸入，會(huì)選擇IGBT 600~650V 耐壓、三相380Vac 輸入，會(huì)選擇IGBT 1200V 耐壓的元件。
IGBT的VGE耐壓值為±20V(電壓尖峰不可超過±30V)，如在IGBT模塊加上超出耐壓值的電壓，將會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn)，因而在柵極-發(fā)射極之間，需確保不超出耐壓值的電壓。
在使用裝置的場(chǎng)合，如果柵極回路不合適或者柵極回路處于高阻抗?fàn)顟B(tài)（柵極處于開路狀態(tài)），在主回路上加上驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，則IGBT有很大概率會(huì)損壞，為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極-發(fā)射極之間并聯(lián)一只10kΩ左右的電阻為宜。
此外，由于IGBT柵極為MOS結(jié)構(gòu)，對(duì)于靜電防護(hù)就要十分注意。因此，請(qǐng)注意下面幾點(diǎn)：
1.在使用模塊時(shí)，手持分裝件時(shí)，請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部份。
2.在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動(dòng)端子的模塊時(shí)，在配線未佈好之前，請(qǐng)先不要接上模塊。
3.盡量在底板良好接地的情況下操作。
4.當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸。
5.在焊接作業(yè)時(shí)，焊機(jī)與焊槽之間的漏泄容易引起靜電的產(chǎn)生，為了防止靜電的產(chǎn)生，請(qǐng)先將焊機(jī)處于良好的接地狀態(tài)下。
6.裝部件的容器，請(qǐng)選用不帶靜電的容器。
用于大容量逆變器等控制大電流場(chǎng)合使用IGBT模塊時(shí)，可以使用多個(gè)器件并聯(lián)。
并聯(lián)時(shí)，要使每個(gè)器件流過均等的電流是非常重要的，一旦電流平衡遭到破壞，那么電流過于集中的那個(gè)器件將可能被損壞。
為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡，要適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如，挑選器件的VCE(sat)/VF/Vth等特性相同的器件及選擇正溫度系數(shù)的FRD，為并聯(lián)應(yīng)用中的重要環(huán)節(jié)。